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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种负性光阻层的固化方法-CN202310700087.2在审
发明人：李思拥;曾一鑫 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种负性光阻层的固化方法。所述方法包括：提供待固化负性层的基板，清洗所述基板至洁净；在所述基板上均匀涂覆负性光阻，形成负性光阻层；对所述基板和所述负性光阻层进行预烤；使用UV光通过掩膜板对所述负性光阻层进行曝光；使用碱性显影液对所述负性光阻层进行显影以使负性光阻层形成与所述掩膜板的透光区对应的图案；使用1200‑1300mj/cm2能量的UV光照射所述基板60‑70秒，照射温度35‑40℃；对所述负性光阻层进行高温固化。本申请的负性光阻层的固化方法，在基板上对负性光阻层进行固化时，能够显著提高负性光阻层的附着力，提高最终显示产品的质量和良品率。
一种负性光阻层固化方法

[发明专利]金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜-CN201711396854.6在审
发明人：蔡丰豪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
负性光阻正性光阻光掩膜金属层制作金属基板完全分离制作过程光阻介体良率去除

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201911005524.9有效
发明人：钟舒婷 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，其制备方法包括制备金属层，在金属层上制备负性光阻层，对负性光阻层进行曝光显影，对金属层进行刻蚀，去除负性光阻层；该制备方法采用负性光阻对金属层进行图案化处理，利用负性光阻见光保留的特性，曝光时在图案内拐角对应位置的负性光阻曝光量足够，显影时图案内拐角对应位置的负性光阻能全部溶于显影液而无残留，保证了后续金属刻蚀过程中金属内拐角处的刻蚀效果，避免了由于光阻曝光不足导致的金属内拐角圆角的问题
阵列及其制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法-CN202010113025.8在审
发明人：刘雪 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法，本发明实施例中的显示面板包括光阻层，所述光阻层包括负性光阻材料，所述负性光阻材料包括具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物，利用具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物来提高负性光阻材料热性能，从而解决负性光阻热性能差、易形成烘烤升华物产生小分子脱气，影响显示面板产品特性的问题。
一种显示面板及其制备方法负性光阻材料

[发明专利]半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法-CN201410683305.7有效
发明人：施建根 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造电镀治具密封接触光阻区域形成方法，包括以下步骤：在半导体晶圆上形成金属种子层；在金属种子层上形成负性光阻，且负性光阻的外周面与半导体晶圆的外周面平齐；遮挡负性光阻的边缘，并对负性光阻遮挡区域外的部分进行曝光，形成曝光图案，且被遮挡部分的负性光阻形成为边缘光阻；对边缘光阻内侧的部分进行曝光处理；去除边缘光阻的外侧部分。本发明中在半导体晶圆边缘形成用于电镀治具密封环所需要的无图形光阻以及控制半导体晶圆边缘形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围，可以有效的防止渗镀，延长电镀治具的预防性维护周期。
半导体制造电镀密封接触区域形成方法

[发明专利]一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置-CN201910772147.5有效
发明人：蔡奇哲;汪红 -专利权人：咸阳彩虹光电科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制造方法，包括提供衬底基板；通过第一次曝光在衬底基板上形成具有像素坑的第一光阻层，第一光阻层的材料包括混合有光敏材料的负性光阻材料；对第一光阻层进行第二次曝光形成最终光阻层，最终光阻层包括剩余部分的第一光阻层及位于剩余部分的第一光阻层上的第二光阻层，且第一光阻层和第二光阻层的亲水特性不同。本发明的负性光阻材料中混合有光敏材料，在第二次曝光的过程中，负性光阻材料的上层部分接收光照较多，光敏材料在光照条件下发生反应变成疏水特性，而负性光阻材料的下层部分受光照影响较小仍然是亲水特性，当色阻材料注入至像素坑的时候可有效防止墨水溢出像素坑
一种显示面板制造方法显示装置

[发明专利]光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板-CN202111350222.2有效
发明人：陈建荣 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，通过对负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；对负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，第二曝光区域至少具有设于第一曝光区域的一侧且与第一曝光区域连接的部分，第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量；对负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层；对剩余的负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。本申请通过对负性光阻层进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构，有效简化了底切结构的制作工艺，从而提高了生产效率。
光阻层加工方法显示面板制作方法以及

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管-CN201910831371.7有效
发明人：李展 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：在本申请所提供的薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管中，通过在基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层、导电沟道图案，在所述栅极绝缘层以及所述导电沟道图案上沉积负性光阻层，并通过曝光显影工艺形成负性光阻图案，在所述栅极绝缘层、所述导电沟道图案以及所述负性光阻图案上依次沉积金属氧化物层、金属层以及正性光阻层，并通过曝光显影工艺形成正性光阻图案，通过刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀，以形成金属图案，采用光阻剥离工艺去除所述正性光阻图案以及所述负性光阻图案
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种BCE结构TFT的制作方法及结构-CN202010755484.6在审
发明人：阮桑桑 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。
一种 bce 结构 tft 制作方法

[发明专利]TFT基板的制作方法-CN201810793136.0有效
发明人：朱茂霞 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先利用半透光光罩对钝化层上的负型光阻材料进行曝光，形成交联部、外露的第一未交联部及由交联部覆盖的第二未交联部，通过第一次显影去除第一未交联部，在钝化层上形成过孔，然后对负型光阻材料进行灰化处理，将负型光阻材料减薄至露出第二未交联部，通过第二次显影去除第二未交联部，在负型光阻材料及露出的钝化层上沉积透明导电材料，形成钝化层上的像素电极，最后用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料及其上的透明导电材料；本发明通过分步显影的方式，解决了利用负型光阻材料形成half tone结构的技术难点，使3mask工艺使用负型光阻材料具有制程上的可行性。
tft 制作方法

[发明专利]喷墨印头及其制程-CN200510083143.4有效
发明人：李致淳;蔡尚颖;陈佳麟;庄仁贤 -专利权人：国际联合科技股份有限公司
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：在晶圆上形成一图案化光阻层，其中图案化光阻层具有多个腔室与分别连接至这些腔室的多个流道，且这些腔室位于这些致动元件上方。在图案化光阻层上形成一负光阻层，其中负光阻层覆盖这些腔室与这些流道。对于负光阻层进行一曝光制程，然后对于负光阻层进行一显影制程，以形成一图案化负光阻层，其中图案化负光阻层具有多个喷嘴，而这些喷嘴分别与这些腔室连通，且各喷嘴的孔径由图案化负光阻层的上表面往图案化负光阻层的下表面逐渐增加
喷墨及其

[发明专利]掩膜板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201710801197.2在审
发明人：王伟;郝明迁;曹振洋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：彩膜基板的制作方法包括在衬底基板上涂布彩色负性光阻材料，利用如上所述的掩膜板对所述彩色负性光阻材料进行曝光，显影后保留像素区域的彩色负性光阻材料，去除虚拟像素区的部分彩色负性光阻材料。
掩膜板彩膜基板及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]OLED显示器的制作方法及OLED显示器-CN201710899825.5有效
发明人：唐甲;张晓星 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该OLED显示器的制作方法，在TFT基板的阳极层上形成防反射层，而后再在防反射层及TFT基板上涂布负性光阻材料，并对负性光阻材料进行曝光及显影形成像素定义层，由于防反射层的存在，能够有效避免在采用两层氧化铟锡夹一层银的结构的阳极层时，对负性光阻材料进行曝光的曝光光线被阳极层反射至与像素区域对应的负性光阻材料上使像素区域产生光阻残留，从而使后续制作在像素区域内的OLED发光层的膜厚均匀，提升OLED显示器的显示品质。
oled 显示器制作方法

[发明专利]像素界定层及其制备方法和应用-CN201710169725.7有效
发明人：陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明一种像素界定层及其制备方法和应用，包括如下步骤：S1、获取基板，所述基板具有图形化像素电极；S2、于所述基板上沉积一层负性光阻薄膜；S3、获取光照掩板，所述光照掩板与所述负性光阻薄膜之间设有间隔，所述间隔为50‑200μm；S4、利用所述光照掩板对所述负性光阻薄膜进行曝光，曝光剂量为100‑300mj/cm
像素界定及其制备方法应用

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